本系列文章的第 5 和第 6 部分[1-7]介绍有助于抑制非隔离 DC-DC 稳压器电路传导和辐射电磁干扰 (EMI) 的实用指南和示例。当然，如果不考虑电隔离设计，DC-DC 电源 EMI 的任何处理方式都不全面，因为在这些电路中，电源变压器的 EMI 性能对于整体 EMI 性能至关重要。 特别是，了解变压器绕组间电容对共模 (CM) 发射噪声的影响尤其重要。共模噪

离线反激式电源在变压器初级侧需要有钳位电路（有时称为缓冲器），以在正常工作期间功率MOSFET开关关断时限制其两端的漏源极电压应力。设计钳位电路时可以采用不同的方法。低成本的无源网络可以有效地实现电压钳位，但在每个开关周期必须耗散钳位能量，这会降低效率。一种改进的方法就是对钳位和功率开关采用互补驱动的有源钳位技术，使得能效得

开关电源小型化设计中，提高开关频率可有效提高电源的功率密度。但随着开关频率提升，电路电磁干扰（EMI）问题使电源工程师面临了更大的挑战。本文以反激式开关拓扑为例，从设计角度，讨论如何降低电路EMI。 为提高开关电源的功率密度，电源工程师首先想到的办法是选择开关频率更高的MOSFET,通过提高开关速度可以显著地减小输出滤波器体积，从

半导体行业一直在寻找新型特殊材料、介电解决方案和新型器件形状，以进一步、再进一步缩小器件尺寸。例如，2D材料的横向和纵向异质结构导致了新的颠覆性小型低功率电子器件的产生。 在为半导体器件电气特点编制准确的BG时，比如特殊的NANO-FETs，业内的科研人员、科学家和工程师都面临着一个共同的问题。当需要证明能够实际上以简便的、可重复

俗话说“人无远虑必有近忧”。对于电子设计工程师，在项目开始之前、器件选型之初，就要做好充分考虑，选择Z适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。 功率MOSFET恐怕是工程师们Z常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑各方面的因素，小到选N型还是P型、封装类型；大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需

半导体行业一直在寻找新型特殊材料、介电解决方案和新型器件形状，以进一步、再进一步缩小器件尺寸。例如，2D材料的横向和纵向异质结构导致了新的颠覆性小型低功率电子器件的产生。 在为半导体器件电气特点编制准确的BG时，比如特殊的NANO-FETs，业内的科研人员、科学家和工程师都面临着一个共同的问题。当需要证明能够实际上以简便的、可重复

半导体行业一直在寻找新型特殊材料、介电解决方案和新型器件形状，以进一步、再进一步缩小器件尺寸。例如，2D材料的横向和纵向异质结构导致了新的颠覆性小型低功率电子器件的产生。 在为半导体器件电气特点编制准确的BG时，比如特殊的NANO-FETs，业内的科研人员、科学家和工程师都面临着一个共同的问题。当需要证明能够实际上以简便的、可重复

01、摘要 决定拓扑选择的一个重要因素是输入电压和输出/输入比。图1示出了常用隔离的拓扑相对适用的电压范围。拓扑选择还与输出功率，输出电压路数，输出电压调节范围等有关。一般情况下，对于给定场合你可以应用多种拓扑，不可能说某种拓扑对某种应用是 地适用，因为产品设计还有设计 者对某种拓扑的经验、元器件是否容易得到、成本要求、对

LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本条件： 1）上下开关管50%占空比，1800对称的驱动电压波形； 2）感性谐振腔并有足够的感性电流； 3）要有足够的死区时间维持ZVS。 图a)是典型的LLC串联谐振电路。图

近来，LLC拓扑以其高效，高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复体二极管，低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。 一、摘要 长期以来， 提升电源系统功率密度，效率以及系

能量转换系统必定存在能耗，虽然实际应用中无法获得100%的转换效率，但是，一个高质量的电源效率可以达到非常高的水平，效率接近95%。绝大多数电源IC 的工作效率可以在特定的工作条件下测得，数据资料中给出了这些参数。一般厂商会给出实际测量的结果，但我们只能对我们自己的数据担保。图1 给出了一个SMPS 降压转换器的电路实例，转换效率可以达

本文主要针对那些刚开始或准备开始搞设计硬件电路的工程师， 别的硬件工程师看这篇文章就没必要了。时光飞逝，离俺 初画 块电路已有3年。刚刚开始接触电路板的时候，与你一样，俺充满了疑惑同时又带着些兴奋。在网上许多关于硬件电路的经验、知识让人目不暇接。像信号完整性，EMI，PS设计准会把你搞晕。别急，一切要慢慢来。 1）总体思路。

电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS 的N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势，以帮助设计人员在许多工业应用中选择这些件。

在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形，套用公式进行理论上的近似计算）。 MOSFET 的工作损耗基本可分为如下几部分： 1、导通损耗Pon 导通损耗,指在 MOSFET 完全开启后负载电流（即漏源电流） IDS(on)(t) 在导通电阻 RDS(on) 上产生之压降造成的损耗。 导通损耗计算： 先通过计算得到 IDS(on)(t) 函数表达式并算出其有效值 IDS(on)…

在“主要部件的选定－MOSFET相关 其1”中选定MOSFET Q1，接下来将建构MOSFET外围的电路。 首先，来重温电路工作。以D4、R5、R6调整从IC的OUT（PWM输出）端输出的信号，让MOSFET Q1能够正确工作，然后再驱动MOSFET的栅极。MOSFET Q1开/关经过整流且流向变压器 T1 侧的高电压，将其电能传送至二次侧。Q1在ON时Ids流动，但因为并非无限制流动，是故利用R8检测电流并加以限制。 首先，本稿决定调整MOSFET栅极驱动的电路、二极管 D4、电阻R5、R6，其次，决定限流和斜率补偿上必要…

变压器的设计结束，接下来是开关元件，本节说明MOSFET Q1的选定和相关电路构成。 初，根据开关电压或电流等来选定MOSFET Q1。对此，本稿将说明“主要部件的选定－MOSFET相关 其1”。 接着决定调整MOSFET栅极驱动的电路、二极管 D4、电阻R5、R6，而且，决定限流和斜率补偿上必要的电流检测电阻R8。这部分将在“主要部件的选定－MOSFET相关 其2”中说明。 先说明此部分电路如何说明。以D4、R5、R6调整从IC的OUT（PWM输出）端输出的信号，让MOSFET Q1能够正确工作，然后再驱动…

电流检测电阻的位置连同开关稳压器架构决定了要检测的电流。检测的电流包括峰值电感电流、谷值电感电流（连续导通模式下电感电流的 值）和平均输出电流。检测电阻的位置会影响功率损耗、噪声计算以及检测电阻监控电路看到的共模电压。放置在降压调节器高端对于降压调节器，电流检测电阻有多个位置可以放置。当放置在顶部MOSFET的高端时（如图1所

在过去的几十年中，半导体行业已经采取了许多措施来改善基于硅 MOSFET （parasitic parameters），以满足开关转换器(开关电源)设计人员的需求。行业效率標準以及市场对效率技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品擁有巨大的需求。這個需求宽带隙（WBG）技术器件应运而生, 如碳化硅場效應管(SiC MOSFET) 。它们能够提供设计人员要求的更低的寄生參數滿足开关电源（SMPS）的設計要求。650V 碳化硅場效應管器件在推出之后，可以补充之前只有 12…

伸缩门栅极驱动器?它的工作原理是什么?栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET，JFET等，因为如MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。这就要求栅极驱动的栅极电流足够大，能够瞬时充满MOSFET栅极电容。因此，栅极驱动就是起到驱动开关电源导通与关闭的作用。栅极驱动器工作栅极驱动器工作输出电压使开关管导迢并运行于开关状态下。这种通过高压稳压器自给供电的方法就是第节所介绍的动态自给电源的方法。管的源极接电流检…

      作为,电源模块www.gztoppower.com.规划工程师的咱们都知道消费类电子职业运用最遍及的变换器之一是DC-DC降压变换器。简而言之，同步降压变换器用于将电压从较高的电平降至较低的电平。随着业界转向更高功能的平台，电源变换器的能效变成规划的一项要害思考要素。因而，主要的是了解同步降压变换器的基础知识，以及如何恰本地挑选电路元件。本来依据书本上的概念来说同步降压变换器的概念简单，它发生低于输入电压的稳压电压，能够供给大电流，一起将功率损耗降至最低。同步降…