1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制. 2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 M

1、整流桥并联 在小功率设计中，一般很少用到整流桥的并联，但在某些大功率输出的情况下，不想增添新的器件单个整流桥电流又不满足输入功率要求，就需要用到整流桥的并联了，整流桥的并联不能采用两个整流桥各自整流后直流并联的方式，也就是不能采用图1的方式，因为整流桥没有配对，单纯靠自身的V-I特性，一般是无法均流的，这样就会造成两个

MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。 一、电源IC直接驱动 电源IC直接驱动是很简单的驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。 ①查看电源IC手册的很大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。

下图是NMOS的示意图，从图中红色框内可以看到，MOS在D、S极之间并联了一个二极管，有人说这个二极管是寄生二极管，有人说是体二极管，究竟哪个说法准确呢？很多同学也非常好奇：为什么要并联这个二极管？是否可以删除呢？ mos管并联二极管的作用 这要从MOS的工艺和结构说起，不管是MOS还是二极管，都是由半导体材料构成，我们都知道二极管

mos管隔离驱动电路，如果驱动高压MOS管，我们需要采用变压器驱动的方式和集成的高边开关。这两个解决方案都有自己的优点和缺点，适合不同的应用。集成高边驱动器方案很方便，优点是电路板面积较小，缺点是有很大的导通和关断延迟。变压器耦合解决方案的优点是延迟非常低，可以在很高的压差下工作。常它需要更多，缺点是需要很多的元件并且对变压

大家可能并不陌生MOS管，由于MOS管不具备防静电、防浪涌，ESD静电和浪涌无处不在，存在于任何的电子产品中，令人防不胜防。 然而MOS管却又是一个ESD静电极具敏感器件，它本身的输入电阻很高。而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电；又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。 01 MOS管本身的输

如何设计防反接保护电路？防反接保护电路1，通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下图1示：这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT，额定管压降为0.7V，那么功耗至少也要达到：Pd=2A×0.7V=1.4W，这样效率低，发热量大，要加散热器。2,另外还可以用二极管桥对输入做整流，这样电路就永远有正确的极性(图2)。这些方案的缺点是，二极管上的压降会消…

    電源模塊的表面，熱乎乎的，模塊燒壞了！有一點發熱是正常的，因為它正努力地運行著。但高溫對電源模塊的可靠性 能影響極其大！我們須致力於做好熱設計，減小電源表面和內部器件的溫升。這一次，我們來談論電源模塊的熱設計。高溫對功率密度高的電源模塊的可靠性能影響極大。高溫會導致電解電容的使用壽命降低，變壓器漆包線的絕緣特性降低，晶體管損壞，材料熱老化，焊點脫落等情況。具toppower統計數據，電子元件溫度每升高1.5℃，可靠性下降8.5%。對於電源模塊的熱設計，它包…

高温对功率密度高的电源模块的使用可靠性影响非常大。高温会影响电解电容的使用寿命，变压器漆包线的绝缘特性下降，晶体管损坏，材料热老化，焊点脱落等现象。有数据统计，电子元件温度每升高2℃，可靠性下降10%。对于电源模块的热设计，它包括两个层面：降低损耗和改善散热条件。一、元器件的损耗  损耗是产生热量的直接原因，降低损耗是降低发热的根本。市面上有些厂家把发热元件包在模块内部，使得热量散不出去，这种方法有点自欺欺人。降低内部发热元件的损耗和温升才是硬道理。电…

1、驱动电源拓扑结构和控制方式LED需要的驱动电源，由交流电整流后再直直变换得到，整流电路通常采用二极管桥式整流并用电解电容进行滤波，这种方式功率因数比较低，对电网带来较大的谐波污染，通过有源功率因数校正电路减小谐波对电网的污染，因此电源的拓扑结构要能够较好的实现PFC，同时损耗也是需要考虑的重要因素，最后LED的电源通常都需要封闭起来，变换器的尺寸也受到限制。因此选择的变换器应具有以下优点：器件少，高效率，尺寸小。常用的有源功率因数校正的拓扑结构有BOOST，…

因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。的驱动常根据和的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。顶源电子自主研发、生产的隔离电源模块已有近20年的行业积累。在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流…