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标签:存储器

  • 高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图

    发布时间:2022年01月15日,查看次数:261
    随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展,泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战,以经济的成本为晶圆厂提供解决方案。 增加3D NAND闪存存储容量的一种方法是堆栈加层,但堆栈高度的增加会带来更大的挑战。虽然这些挑战中很明显的是结构稳定性问题,但层
  • 高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图

    发布时间:2022年01月10日,查看次数:215
    随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展,泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战,以经济的成本为晶圆厂提供解决方案。 增加3D NAND闪存存储容量的一种方法是堆栈加层,但堆栈高度的增加会带来更大的挑战。虽然这些挑战中很明显的是结构稳定性问题,但层
  • 存储器市场下半年将进入迟缓期

    发布时间:2014年09月01日,查看次数:1276
    存储器市场下半年将进入迟缓期2014年上半表现良好的存储器半导体市场,下半年恐乌云密布。 7月以来大陆智能型手机市场需求缩水,又接连传来领导企业的设备投资消息,让供给过剩的忧虑日渐升高,而专家之间对市场展望的正反面意见纷歧。据ET News报导,日前的业界消息传出,存储器半导体市场上半年达到高点,下半年恐将进入成长迟缓期。主要原因为大陆智能型手机市场,2014年上半为止都保持陡峭的上升曲线,带动存储器半导体的需求,然而7月之后成长趋势渐缓。大陆智能型手机受到5月起缩…